东莞市粤兴电子科技有限公司
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一、目的:规范陶瓷圆片电容器的客观品质标准,让客户能详细了解本公司的该类产品,确保本产品能满足客户的最大要求。
二、适用范围:适用于本公司生产的陶瓷圆片电容器。含检验状态、检验项目、标准参数、判断标准、检测方法等内容。
三、检验环境状态:室温25℃+2℃,湿度65%+15%;
四、注意事项:
1. 避免热源对待检品前后的影响;
2. 待检物须放置室温中30分钟以上方可检测其电气特性;
3. 检测完耐电压或绝缘电阻后,须放置室温中12小时后方可检测其容值和其它电气特性;
五、项目规格及检测方式
序号 | 项目 | 规格 | 检测方法及条件 | ||
1 | 外观、尺寸及标识 | 无异常 | 依外观、尺寸及标识标准,尺寸用游标卡尺检查,外观、标识用目视法检查。 | ||
2 | 绝缘电阻 | T.C.类 | 10000MΩMIN | 端子间施加额定工作电压,500VDC以上以500VDC测试,测试时间为60秒以内。 | |
HIK类 | 10000MΩMIN | ||||
半导体类 | 100MΩ×UFMIN | ||||
3 | 耐电压 | 无破裂短路等明显损坏异状 | 端子间施加额定电压施压1-5秒,充放电电流为50mA以下。 W.V.<500VDC T.V=250%×W.V 1000VDC≧W.V.≥500VDC T.V=200%×W.V W.V.=2KVDC T.V=175%×W.V W.V.>2KVDC T.V=150%×W.V | ||
4 | 静电容量 | 在标准允许误差内 | 使用频率: T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz >1000PF检测频率用1KHz HIK、半导体类:检测频率用1KHz 使用电压: T.C. 、HIK类用1.0VRMS 半导体类用0.1VRMS | ||
5 | Q值和散逸因素DF | T.C.类 | C<30PF:Q≥400+20×C | 测定条件与静电容量之规定相同 | |
C≥30PF:Q≥1000MIN | |||||
HIK类 | Y5E、Y5P、Z5U、Y5U:DF≤2.5% | ||||
Z5V、Y5V:DF≤5% | |||||
半导 体类 | Y5P、Y5U:DF≤5% | ||||
Y5V:DF≤7.5% | |||||
序号 | 项目 | 规格 | 检测方法及条件 | |
6 | 温 度 特 性 | T.C.类: C≦4PF TC ±250PPM/℃ C≦9.9PF TC ±120PPM/℃ C≧10PF TC ±60PPM/℃ SL TC P350-N1000 | 以25℃之容量值为基准,在(-)、(+)两方最大温度之容量偏差,以变化率表示。 试验步聚见下表: 温度特性容量变化率的计算公式见下表 步骤试验温度温度代号容量代号125±2℃T1C12最低温度T2C2325±2℃T1C14最高温度T2C2525±2℃①T.C.类(PPM) T.C.= C2-C1 ×106 C1(T2-T1) ②HIK、半导体类 T.C.= C2-C1 ×100% C1 | |
HIK、半导体类: Y5E:±4.7% Y5P:±10% Y5U、Z5U:+22%-56% Y5V、Z5V:+22%-82% | ||||
7 | 焊 锡 附 着 性 及 焊 锡 耐 热 性 | 外观 | 端子引线周围至少75%的面积均匀附锡,且本体无破裂等损坏现象。 | 将元件端子线浸入温度为240℃的溶锡内,端子线浸至离本体边沿2.0-3.0mm处,并保持3+1/-0秒。试验前,将电容器放置85+3-0℃中预热,5分钟后再进行焊锡试验;试验后,电容器须放置室温中24小时后方可进行电气特性的测试。 其电气特性的测试方法: 1.静电容量及散逸因素 使用频率: T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz >1000PF检测频率用1KHz HIK、半导体类:检测频率用1KHz 使用电压: T.C. 、HIK类用1.0VRMS 半导体类用0.1VRMS 2.绝缘电阻: 端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值; 3.耐电压: 端子间加额定直流电压施压1-5秒,充放电电流为50mA以下。 W.V.<500VDC T.V=250%×W.V 1000VDC≧W.V.≥500VDC T.V=200%×W.V W.V.=2KVDC T.V=175%×W.V W.V.>2KVDC T.V=150%×W.V |
静电容量变化率 | T.C.类:±5%或±0.5PF | |||
HIK、半导体类: Y5E:±10%;Y5P:±15%; Y5U、Z5U:±25% Z5V、Y5V:±30% | ||||
Q值或DF | T.C.类: C<30PF:Q≥400+20×C C≥30PF:Q≥1000MIN | |||
HIK类: Y5E/Y5P/Z5U/Y5U:DF≤2.5% Z5V、Y5V:DF≤5% | ||||
半导体类: Y5P、Y5U:DF≤5% Y5V:DF≤7.5% | ||||
绝缘电阻 | T.C.类:10000MΩMIN | |||
HIK类:10000MΩMIN | ||||
半导体类:100MΩ×UFMIN | ||||
耐电压 | 本体无损伤及无短路现象发生。 |
8 | 耐 湿 负 荷 | 外观 | 无显著之异常现象 | 计划一: 在温度40±2℃、相对湿度90-95%的状态下,连续施加直流额定电压(充放电电流为50mA以下)500+24-0小时; 计划二: 在温度60±2℃、相对湿度95-97%的状态下,连续施加直流额定电压(充放电电流为50mA以下)250+24-0小时; 试验后置于室温中: T.C.需放置24小时以上方可测定其电气特性; HIK、半导体类规格需放置48小时以上方可测定其电气特性; 其电气特性的测试方法: 1.静电容量及散逸因素 使用频率: T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz >1000PF检测频率用1KHz HIK、半导体类:检测频率用1KHz 使用电压: T.C. 、HIK类用1.0VRMS 半导体类用0.1VRMS 2.绝缘电阻: 端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值; |
静电容量变化率 | T.C.类:最大变化率为±7.5或±0.75PF; | |||
HIK、半导体类: Y5E最大变化率为±10%; Y5P最大变化率为±15%; Z5U、Y5U最大变化率为±20% Z5V、Y5V最大变化率为±30% | ||||
Q值或 散逸因素DF | T.C.类: C<10PF:Q≥200+10×C 10PF≤C≤30PF Q≥275+2.5×C C≥30PF:Q≥350MIN | |||
HIK类: Y5E/Y5P/Z5U/Y5U:DF≤5% Z5V、Y5V:DF≤7.5% | ||||
半导体类: Y5P、Y5U:DF≤7.5% Y5V:DF≤10% | ||||
绝缘电阻 | 最小值为500MΩ或25MΩ×UF取最小者 | |||
9 | 高 温 负 荷 (寿命 试验) | 外观 | 无显著之异常现象 | 计划一: 在试验温度下连续施加2倍W.V.(充放电电流为50mA)1000+48-0小时,试验温度85℃±3℃; 计划二: 在试验温度下连续施加2.5倍W.V.(充放电电流为50mA)500+48-0小时,试验温度100℃±3℃; 试验后置于室温中: T.C.需放置24小时以上方可测定其电气特性; HIK、半导体类规格需放置48小时以上方可测定其电气特性; 其电气特性的测试方法: 1.静电容量及散逸因素 使用频率: T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz >1000PF检测频率用1KHz HIK、半导体类:检测频率用1KHz 使用电压: T.C. 、HIK类用1.0VRMS 半导体类用0.1VRMS 2.绝缘电阻: 端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值; |
静电容量变化率 | T.C.类:最大变化率为±7.5或±0.75PF; | |||
HIK、半导体类: Y5E最大变化率为±10%; Y5P最大变化率为±15%; Z5U、Y5U最大变化率为±20% Z5V、Y5V最大变化率为±30% | ||||
Q值或 散逸因素DF | T.C.类: C<10PF:Q≥200+10×C 10PF≤C≤30PF Q≥275+2.5×C C≥30PF:Q≥350MIN | |||
HIK类: Y5E/Y5P/Z5U/Y5U:DF≤5% Z5V、Y5V:DF≤7.5% | ||||
半导体类: Y5P、Y5U:DF≤7.5% Y5V:DF≤10% | ||||
绝缘电阻 | 最小值为500MΩ或25MΩ×UF取最小者 | |||
10 | 端子强度 | 抗拉强度 | 导线不断裂,电容器本体不破损。 | 垂直固定被测物本体,引线向下,负荷施力方向为端线引出方向,施加负荷为1.0 kgf,时间为5秒。 |
变曲强度 | 固定被测物体,施加1kgf于端子引线间并变曲90度,回复原来之位置,并反向变曲90度,1次弯曲时间为5秒。 |
六、温度特性曲线图(温度与容量变化率特性图)
1.T.C.类
+10 | |||||||||||||
+5 | |||||||||||||
0 | NPO | ||||||||||||
NPO | |||||||||||||
-5 | |||||||||||||
-10 |
-55 -35 -15 +5 +25 +45 +65 +85
2.HIK、半导体类
TEMP℃
-30 -20 -10 +0 +10 +20+25 +40 +50 +60 +70 +80
七、命名方法
CC | Y5P | 102 | K | C | 5 | S | LL |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
1.“CC”:陶瓷圆片电容器
CC:工作电压<500VDC,一般涂装。
SC:半导体类
HP:工作电压≥500VDC 一般涂装。
HE:工作电压≥500VDC环氧树脂涂装。
2.容量特性
材质 类型 | T.C.类 | HIK、半导体类 | |||||||
NPO | SL | Y5P | X7R | Y5E | Y5U | Y5V | Z5U | Z5V | |
温度 范围 | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | -55℃~+125℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | +10℃~+85℃ | +10℃~+85℃ |
变化率 | +250PPM | P350 -N1000 | ±10% | ±15% | ±4.7% | +22% -56% | +22% -82% | +22% -56% | +22% -82% |
3.“102”标准容量1000PF:
代码 | 静电容量 | 代码 | 静电容量 |
8R2 | 8.2PF | 102 | 1000PF |
100 | 10PF | 473 | 0.047UF |
470 | 47PF | 224 | 0.22UF |
101 | 100PF | 105 | 1.0UF |
容量换算公式 | 1UF=1000NF=1000000PF=10-6F |
4.容量允许误差
代码 | 误差 | 代码 | 误差 | 代码 | 误差 |
C | ±0.25PF | J | ±5% | S | +50%-20% |
D | ±0.5PF | K | ±10% | Z | +80%-20% |
G | ±2% | M | ±20% |
5.额定电压
代码 | 额定电压 | 代码 | 额定电压 | 代码 | 额定电压 | 代码 | 额定电压 |
A | 16VDC | D | 100VDC | G | 1000VDC | J | 4000VDC |
B | 25VDC | E | 250VDC | H | 2000VDC | K | 50000VDC |
C | 50VDC | F | 500VDC | I | 3000VDC | L | 60000VDC |
6.端子线间距离
代码 | 尺寸(mm) | 代码 | 尺寸(mm) |
2 | 2.54±0.8 | 7 | 7.62±0.8 |
5 | 5.08±0.8 | 9 | 9.52±0.8 |
6 | 6.35±0.8 | 10 | 10±0.8 |
7.铜线外形
脚型 | 直脚 | 内弯脚 | 外弯脚 |
代码 | S | I | O |
8.包装类型
TA:表示编带盒装;
TR:表示编带卷装;
LL:表示长脚20mmMin;
C3:表示切脚脚长为3.5mm±0.5mm;
C4:表示切脚脚长为4mm±0.5mm;
C5:表示切脚脚长为5mm±0.5mm;
C6:表示切脚脚长为6mm±0.5mm;
C7:表示切脚脚长为7mm±0.5mm;
C8:表示切脚脚长为8mm±0.5mm;
八、铜线线径使用说明
编带类:0.56±0.05mm;
散装类:工作电压小于或等于500V产品:0.45±0.05mm;
工作电压大于500V、小于或等于1000V产品:0.47±0.05mm;
工作电压大于1000V产品:0.56±0.05mm
九、包装数量及方式
编带类:TA编带每二千个为一基本包装单位,TR编带每二千五百个为一基本包装单位;
散装类:每一千个为一基本包装单位;
十、标识及例图
1.标志
“472M”:电容器容量规格及标准容量允许误差代码;
“2KV”:表示此规格产品额定工作电压;
注:额定工作电压小于50V的规格产品,电压标识不打印;
额定工作电压为50V的规格产品,电压标识用“ ”表示;
2.散装型例图
长脚直脚型(S) 短脚直脚型(S) 内弯脚型(I) 外弯脚型(O)
3.编带型例图及说明
直脚型 弯脚型
D:本体直径,以10mm为最大;
T:本体厚度;
d:端子线直径,以0.56±0.05mm;
P:两本体中心点间距离:12.7±1.0mm;
P0:两孔径中心点间距离:12.7±0.2mm;
P1:孔径中心点至端线之距离:3.85±0.5mm;
P2:本体中心点至孔径中心点间距离:6.35±1.0mm;
F:两端线间距:5.08±0.8mm;
△h:本体偏离中心点最大范围:0±2.0mm;
W:牛皮纸带宽度:18.0±0.5mm;
W0:热熔胶带宽度:6.0mmMin;
W1:9.0±0.5mm;
W2:3.0mmMax;
H0:16.0±0.75 mm或 18.0±0.75mm;
D0:孔径4.0±0.2mm;
t:牛皮纸带厚度0.5±0.2mm;
B:绝缘脚,直脚型为2.0mmMax,弯脚型为4.0mmMax;