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低压陶瓷电容

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低压陶瓷电容

  • 所属分类:50V 1PF-0.22UF

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  • 发布日期:2016/05/23
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详细介绍

一、目的:规范陶瓷圆片电容器的客观品质标准,让客户能详细了解本公司的该类产品,确保本产品能满足客户的最大要求。

二、适用范围:适用于本公司生产的陶瓷圆片电容器。含检验状态、检验项目、标准参数、判断标准、检测方法等内容。

三、检验环境状态:室温25+2℃,湿度65%+15%

四、注意事项:

1.      避免热源对待检品前后的影响;

2.      待检物须放置室温中30分钟以上方可检测其电气特性;

3.      检测完耐电压或绝缘电阻后,须放置室温中12小时后方可检测其容值和其它电气特性;

五、项目规格及检测方式

 

序号

项目

规格

检测方法及条件

1

外观、尺寸及标识

无异常

依外观、尺寸及标识标准,尺寸用游标卡尺检查,外观、标识用目视法检查。

2

绝缘电阻

T.C.

10000MΩMIN

端子间施加额定工作电压,500VDC以上以500VDC测试,测试时间为60秒以内。

HIK

10000MΩMIN

半导体类

100MΩ×UFMIN

3

耐电压

无破裂短路等明显损坏异状

端子间施加额定电压施压1-5秒,充放电电流为50mA以下。

W.V.500VDC   T.V=250%×W.V

1000VDCW.V.500VDC T.V=200%×W.V

W.V.2KVDC T.V=175%×W.V

W.V.2KVDC T.V=150%×W.V

4

静电容量

在标准允许误差内

使用频率:

T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz

     1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类:检测频率用1KHz

使用电压:

T.C. HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

5

Q值和散逸因素DF

T.C.

C<30PFQ400+20×C

测定条件与静电容量之规定相同

C30PFQ1000MIN

HIK

Y5EY5PZ5UY5UDF2.5%

Z5VY5VDF5%

半导

体类

Y5PY5UDF5%

Y5VDF7.5%







 

 

序号

项目

规格

检测方法及条件

6

T.C.类:

C4PF  TC ±250PPM/

C9.9PF  TC ±120PPM/

C10PF  TC ±60PPM/

SL     TC P350-N1000

25℃之容量值为基准,在(-)、(+)两方最大温度之容量偏差,以变化率表示。

试验步聚见下表:

温度特性容量变化率的计算公式见下表

步骤试验温度温度代号容量代号125±2℃T1C12最低温度T2C2325±2℃T1C14最高温度T2C2525±2℃  

T.C.类(PPM

         T.C.=    C2-C1      ×106

               C1T2-T1

HIK、半导体类

         T.C.=   C2-C1    ×100%

                   C1

HIK、半导体类:

Y5E:±4.7%

Y5P:±10%

Y5UZ5U+22%-56%

Y5VZ5V+22%-82%

7

外观

端子引线周围至少75%的面积均匀附锡,且本体无破裂等损坏现象。

将元件端子线浸入温度为240℃的溶锡内,端子线浸至离本体边沿2.0-3.0mm处,并保持3+1/-0秒。试验前,将电容器放置85+3-0℃中预热,5分钟后再进行焊锡试验;试验后,电容器须放置室温中24小时后方可进行电气特性的测试。

其电气特性的测试方法:

1.静电容量及散逸因素

使用频率:

T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz

     1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类:检测频率用1KHz

使用电压:

T.C. HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

2.绝缘电阻:

端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值;

3.耐电压:

端子间加额定直流电压施压1-5秒,充放电电流为50mA以下。

W.V.500VDC   T.V=250%×W.V

1000VDCW.V.500VDC T.V=200%×W.V

W.V.2KVDC T.V=175%×W.V

W.V.2KVDC T.V=150%×W.V

静电容量变化率

T.C.类:±5%或±0.5PF

HIK、半导体类:

Y5E:±10%Y5P:±15%

Y5UZ5U:±25%

Z5VY5V:±30%

Q值或DF

T.C.类:

C<30PFQ400+20×C

C30PFQ1000MIN

HIK类:

Y5E/Y5P/Z5U/Y5UDF2.5%

Z5VY5VDF5%

半导体类:

Y5PY5UDF5%

Y5VDF7.5%

绝缘电阻

T.C.类:10000MΩMIN

HIK类:10000MΩMIN

半导体类:100MΩ×UFMIN

耐电压

本体无损伤及无短路现象发生。

 

8

湿

外观

无显著之异常现象

计划一:

在温度40±2℃、相对湿度90-95%的状态下,连续施加直流额定电压(充放电电流为50mA以下)500+24-0小时;

计划二:

在温度60±2℃、相对湿度95-97%的状态下,连续施加直流额定电压(充放电电流为50mA以下)250+24-0小时;

试验后置于室温中:

T.C.需放置24小时以上方可测定其电气特性;

HIK、半导体类规格需放置48小时以上方可测定其电气特性;

其电气特性的测试方法:

1.静电容量及散逸因素

使用频率:

T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz

     1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类:检测频率用1KHz

使用电压:

T.C. HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

2.绝缘电阻:

端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值;

静电容量变化率

T.C.类:最大变化率为±7.5或±0.75PF

HIK、半导体类:

Y5E最大变化率为±10%

Y5P最大变化率为±15%

Z5UY5U最大变化率为±20%

Z5VY5V最大变化率为±30%

Q值或

散逸因素DF

T.C.类:

C<10PFQ200+10×C

10PFC30PF Q275+2.5×C

C30PFQ350MIN

HIK类:

Y5E/Y5P/Z5U/Y5UDF5%

Z5VY5VDF7.5%

半导体类:

Y5PY5UDF7.5%

Y5VDF10%

绝缘电阻

最小值为500MΩ或25MΩ×UF取最小者

9

(寿命

试验)

外观

无显著之异常现象

计划一:

在试验温度下连续施加2W.V.(充放电电流为50mA1000+48-0小时,试验温度85℃±3℃;

计划二:

在试验温度下连续施加2.5W.V.(充放电电流为50mA500+48-0小时,试验温度100℃±3℃;

试验后置于室温中:

T.C.需放置24小时以上方可测定其电气特性;

HIK、半导体类规格需放置48小时以上方可测定其电气特性;

其电气特性的测试方法:

1.静电容量及散逸因素

使用频率:

T.C.:≤1000PF检测频率用1MHz

     1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类:检测频率用1KHz

使用电压:

T.C. HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

2.绝缘电阻:

端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值;

静电容量变化率

T.C.类:最大变化率为±7.5或±0.75PF

HIK、半导体类:

Y5E最大变化率为±10%

Y5P最大变化率为±15%

Z5UY5U最大变化率为±20%

Z5VY5V最大变化率为±30%

Q值或

散逸因素DF

T.C.类:

C<10PFQ200+10×C

10PFC30PF Q275+2.5×C

C30PFQ350MIN

HIK类:

Y5E/Y5P/Z5U/Y5UDF5%

Z5VY5VDF7.5%

半导体类:

Y5PY5UDF7.5%

Y5VDF10%

绝缘电阻

最小值为500MΩ或25MΩ×UF取最小者

10

端子强度

抗拉强度

导线不断裂,电容器本体不破损。

垂直固定被测物本体,引线向下,负荷施力方向为端线引出方向,施加负荷为1.0 kgf,时间为5秒。

变曲强度

固定被测物体,施加1kgf于端子引线间并变曲90度,回复原来之位置,并反向变曲90度,1次弯曲时间为5秒。

 

六、温度特性曲线图(温度与容量变化率特性图)

1.T.C.                                                                                                          


 
















              N80N150N220N330N470N750SL N1500 










+10






































































+5






































































0




NPO



NPO































































-5






































































-10






-55  -35     -15      +5     +25     +45     +65     +85

2.HIK半导体类

                                                      TEMP


-30  -20   -10   +0  +10 +20+25  +40  +50 +60  +70  +80

七、命名方法

CC
Y5P

102

K

C

5

S

LL

1

2

3

4

5

6

7

8

1.CC”:陶瓷圆片电容器

CC:工作电压<500VDC,一般涂装。

SC:半导体类

HP:工作电压500VDC 一般涂装。

HE:工作电压500VDC环氧树脂涂装

2.容量特性

材质

类型

T.C.

HIK、半导体类

NPO

SL

Y5P

X7R

Y5E

Y5U

Y5V

Z5U

Z5V

温度

范围

-25~+85

-25~+85

-25~+85

-55~+125

-25~+85

-25~+85

-25~+85

+10~+85

+10~+85

变化率

+250PPM

P350

-N1000

±10%

±15%

±4.7%

+22%

-56%

+22%

-82%

+22%

-56%

+22%

-82%

 

 

3.102”标准容量1000PF

代码

静电容量

代码

静电容量

8R2

8.2PF

102

1000PF

100

10PF

473

0.047UF

470

47PF

224

0.22UF

101

100PF

105

1.0UF

容量换算公式

1UF=1000NF=1000000PF=10-6F

4.容量允许误差

代码

误差

代码

误差

代码

误差

C

±0.25PF

J

±5%

S

+50%-20%

D

±0.5PF

K

±10%

Z

+80%-20%

G

±2%

M

±20%



5.额定电压

代码

额定电压

代码

额定电压

代码

额定电压

代码

额定电压

A

16VDC

D

100VDC

G

1000VDC

J

4000VDC

B

25VDC

E

250VDC

H

2000VDC

K

50000VDC

C

50VDC

F

500VDC

I

3000VDC

L

60000VDC

6.端子线间距离

代码

尺寸(mm

代码

尺寸(mm

2

2.54±0.8

7

7.62±0.8

5

5.08±0.8

9

9.52±0.8

6

6.35±0.8

10

10±0.8

7.铜线外形

脚型

直脚

内弯脚

外弯脚

代码

S

I

O

8.包装类型

TA:表示编带盒装;

TR:表示编带卷装;

LL:表示长脚20mmMin

C3:表示切脚脚长为3.5mm±0.5mm

C4:表示切脚脚长为4mm±0.5mm

C5:表示切脚脚长为5mm±0.5mm

C6:表示切脚脚长为6mm±0.5mm

C7:表示切脚脚长为7mm±0.5mm

C8:表示切脚脚长为8mm±0.5mm

八、铜线线径使用说明

编带类:0.56±0.05mm

散装类:工作电压小于或等于500V产品:0.45±0.05mm

        工作电压大于500V、小于或等于1000V产品:0.47±0.05mm

        工作电压大于1000V产品:0.56±0.05mm

九、包装数量及方式

编带类:TA编带每二千个为一基本包装单位,TR编带每二千五百个为一基本包装单位;

散装类:每一千个为一基本包装单位;


十、标识及例图

1.标志

 

472M”:电容器容量规格及标准容量允许误差代码;

2KV”:表示此规格产品额定工作电压;

注:额定工作电压小于50V的规格产品,电压标识不打印;

    额定工作电压为50V的规格产品,电压标识用“    ”表示;

2.散装型例图

长脚直脚型(S       短脚直脚型(S      内弯脚型(I         外弯脚型(O


3.编带型例图及说明

直脚型                                           弯脚型


 

D:本体直径,以10mm为最大;

T:本体厚度;

d:端子线直径,以0.56±0.05mm

P:两本体中心点间距离:12.7±1.0mm

P0:两孔径中心点间距离:12.7±0.2mm

P1:孔径中心点至端线之距离:3.85±0.5mm

P2:本体中心点至孔径中心点间距离:6.35±1.0mm

F:两端线间距:5.08±0.8mm

h:本体偏离中心点最大范围:0±2.0mm

W:牛皮纸带宽度:18.0±0.5mm

W0:热熔胶带宽度:6.0mmMin

W19.0±0.5mm

W23.0mmMax

H016.0±0.75 mm 18.0±0.75mm

D0:孔径4.0±0.2mm

t:牛皮纸带厚度0.5±0.2mm

B:绝缘脚,直脚型为2.0mmMax,弯脚型为4.0mmMax



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